Se elaboraron guías de onda planares de SiO2-ZrO2 y SiO2-HfO2 dopadas con concentraciones de
iones Er+3 entre 0.5 y 5 mol% usando el método sol-gel para aplicaciones en dispositivos de óptica
integrada. Las películas fueron depositadas sobre substratos de v–SiO2. Las propiedades químicas,
ópticas y espectroscópicas fueron evaluadas mediante comparación entre dos tipos de recocido:
Recocido convencional en horno y Recocido con Láser de CO2. Las guías procesadas utilizando
recocido láser presentan incremento en el índice de refracción y menores coeficientes de atenuación
respecto a las guías procesadas con un recocido convencional en horno. Para todas las muestras,
fue observada una emisión a temperatura ambiente en la Banda C de telecomunicaciones bajo
excitación a 514.5 y 980 nm.

Palabras claves:Guías de onda planares, sol-gel, recocido laser, óptica integrada.

SiO2-ZrO2 and SiO2-HfO2 planar waveguide doped with 0.5 and 5 mol% Er+3 ions were prepared
by sol-gel route for integrated optic devices. The films were deposited on v–SiO2 substrates.
Chemical, optical and spectroscopic properties were evaluated in order to compare two diferentes
annealing proceses: Thermal conventional annealing and CO2 Laser annealing. An increase in the
refractive index was observed in all the irradiated samples, and the laser annealing can lead to waveguides
with a lower attenuation coefficient comparing with the thermal conventional annealing.
Emission in C-telecommunications band was observed at room temperature for all the samples
upon excitation at 514 and 980nm.

Keywords: Planar waveguides, sol-gel, laser annealing, integrated optic.